碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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簡要描述:碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2具體請咨詢在線客服
 更新時(shí)間:2024-06-03
更新時(shí)間:2024-06-03 產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品型號:  廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家 訪  問  量:2033
訪  問  量:2033詳細(xì)介紹
碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
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