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簡要描述:單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)制備方法:改良的H法直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm單層比:99%純度:99%堆積密度:0.44g/cm3體積密度:為0.26g/cm3
 更新時間:2024-06-04
更新時間:2024-06-04 產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品型號:  廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家 訪  問  量:1426
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單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法:改良的H法
直徑:1~5um
厚度:0.8~1.2nm
單層比:99%
純度:99%
堆積密度:0.44g/cm3
體積密度:為0.26g/cm3

TEM of Graphene Oxide


*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound
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