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硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù):單層 晶粒:單晶/多晶,50~300um
形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù):單層 晶粒:單晶/多晶,50~300um
 聯(lián)系人:陳谷一
聯(lián)系人:陳谷一 地址:江蘇省泰州市鳳凰西路168號
地址:江蘇省泰州市鳳凰西路168號 郵箱:taizhou@sunano.com.cn
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